RN24S-60A被动均衡

RN24S-60A被动均衡保护板

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项目符号详细内容三元标准铁锂标准
过充保护VDET1单节过充电检测电压4.25V±0.03V3.65V±0.03V
tVDET1过充电检测延迟时间1.5s(MAX)1.5s(MAX)
VREL1单节过充电解除电压4.15V±0.03V3.45V±0.03V
电量平衡VBU电量平衡检测电压4.2V±0.03V3.6V±0.03V
VBL电量平衡解除电压4.2V±0.04V3.59V±0.04V
IB电量平衡电流60mA±20mA60mA±20mA
过放保护VDET2单节过放电检测电压2.70V±0.1V2.50V±0.05V
tVDET2过放电检测延迟时间1.5s(MAX)1.5s(MAX)
VREL2单节过放电解除电压3.0V±0.1V3.0V±0.05V
过流保护IDP1一级过电流保护电流150A±20A150A±30A
tVDET1检测延迟时间1.0s(MAX)1.0s(MAX)
IDP2二级过电流保护电流//
tVDET2检测延迟时间300ms(MAX)300ms(MAX)
短路保护 外部电路短路yesyes
TSHORT检测延迟时间1500us(MAX)1500us(MAX)

保护解除条件断开负载断开负载
内阻RDS主回路通态电阻(电池电压=3.4V)B-至P- RDS≤20mΩB-至P- RDS≤20mΩ
消耗电流IDD工作时电路内部消耗≤60μA≤60μA
充电最高耐压VDS充电端口接充电器最高承受的电压值DC80VDC80V
芯片最高耐压VDS每串电池节点VDD-VSS之间输入电压DC5VDC5V
持续放电电流 可持续放电电流50A150A
持续充电电流
可持续充电电流50A50A
额定电流Mosfet温升 在额定电流放电过程MOSFET表面温升<45°<45°
温度控制开关
在额定温度下关闭充放电功能充电 75<℃ 放电 75<℃充电 75<℃ 放电 75<℃
充电反向保护 充电时,避免充电的正极性和负极性反接
PCB尺寸
PCM长、宽、高≦160*100*15mm≦160*100*15mm